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使用一種斜角蒸鍍陰影效果製作出二相八筆(bit) 次微米的埋伏式通道電荷耦合元件，從此設計到製作的原理與要點都討論到，並且如此製作出來的成品可以成功地操作，其傳輸的不完全率由在200 K 赫芝操作下的8.36×10﹣增大到在I M 赫芝操作下的6.12×10﹣，並可經由理論予以合理解釋。
作者：刁品安 回復：0 發表時間：2009-07-29 20:30:39
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